Počet záznamů: 1

Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure

SYSNO	0496160
Název	Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
Tvůrce(i)	Hájek, František (FZU-D)_ORCID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID}
Korespondující/senior	Hájek, František - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. S. 125-125. - : University of Warsaw, 2018
Konference	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7, 05.08.2018 - 10.08.2018, Warsaw
Druh dok.	Abstrakt
Grant	GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	690599, XE - země EU
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	PL
Klíč.slova	InGaN/GaN * quantum wells * doping * luminescence
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0288966

Počet záznamů: 1