Počet záznamů: 1
A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface
- 1.
SYSNO 0471306 Název A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
May, M.M. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Grosse, F. (DE)
Höhn, C. (DE)
Steinbach, G. (DE)
Stange, H. (DE)
Nägelein, A. (DE)
Müller, A. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Brückner, S. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016). Program and Abstracts. S. 94. - Marburg : Philipps Universität Marburg, 2016 Konference International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016), 31.05.2016, Marburg - 03.06.2016 Druh dok. Abstrakt Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova GaP/Si * MOVPE * heterointerface Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0268694
Počet záznamů: 1