Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0448576
Název	Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur
Tvůrce(i)	Bagraev, N.T. (RU) Danilovskii, E.Yu. (RU) Gets, D.S. (RU) Kalabukhova, E.N. (UA) Klyachkin, L.E. (RU) Koudryavtsev, A.A. (RU) Malyarenko, A.M. (RU) Mashkov, V.A. (RU) Savchenko, Dariia (FZU-D)_{RID, ORCID} Shanina, B.D. (UA)
Zdroj.dok.	Semiconductors. Roč. 49, č. 5 (2015), 649-657
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GP13-06697P GA ČR - Grantová agentura ČR
	CZ.2.16/3.1.00/22132, XE - země EU
	LM2011029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	RU
Klíč.slova	electron spin resonance * 6H-SiC nanostructures * silicon vacancy related centers * NV centers
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0250232

Počet záznamů: 1