Počet záznamů: 1
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur
- 1.
SYSNO 0448576 Název Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur Tvůrce(i) Bagraev, N.T. (RU)
Danilovskii, E.Yu. (RU)
Gets, D.S. (RU)
Kalabukhova, E.N. (UA)
Klyachkin, L.E. (RU)
Koudryavtsev, A.A. (RU)
Malyarenko, A.M. (RU)
Mashkov, V.A. (RU)
Savchenko, Dariia (FZU-D) RID, ORCID
Shanina, B.D. (UA)Zdroj.dok. Semiconductors. Roč. 49, č. 5 (2015), 649-657 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GP13-06697P GA ČR - Grantová agentura ČR CZ.2.16/3.1.00/22132, XE - země EU LM2011029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. RU Klíč.slova electron spin resonance * 6H-SiC nanostructures * silicon vacancy related centers * NV centers Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0250232
Počet záznamů: 1