Počet záznamů: 1

InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

SYSNO	0359526
Název	InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Vyskočil, Jan (FZU-D)_RID Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Vetushka, Aliaksi (FZU-D)_{RID, ORCID} Caha, O. (CZ) Hazdra, P. (CZ) Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42. - : Elsevier
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GAP102/10/1201 GA ČR - Grantová agentura ČR
	GAP108/10/0253 GA ČR - Grantová agentura ČR
	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III–V materials
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0197302

Počet záznamů: 1