Počet záznamů: 1  

Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering

  1. 1.
    SYSNO0098329
    NázevProperties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
    Překlad názvuVlastnosti GaN vrstev připravených magnetronovým naprašováním a dotovaných ionty Er a Yb
    Tvůrce(i) Prajzler, V. (CZ)
    Burian, Z. (CZ)
    Hüttel, I. (CS)
    Špirková, J. (CZ)
    Hamáček, J. (CZ)
    Oswald, J. (CZ)
    Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
    Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
    Zdroj.dok. Acta Polytechnica. Roč. 46, č. 6 (2006), s. 49-55. - : České vysoké učení technické
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GA102/06/0424 GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
    CEZAV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
    AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.CZ
    Klíč.slova fluorescence * gallium * rare earth compounds
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0157265
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.