Počet záznamů: 1  

Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering

  1. 1.
    0098329 - URE-Y 2008 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
    Prajzler, V. - Burian, Z. - Hüttel, I. - Špirková, J. - Hamáček, J. - Oswald, J. - Zavadil, Jiří - Peřina, Vratislav
    Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering.
    [Vlastnosti GaN vrstev připravených magnetronovým naprašováním a dotovaných ionty Er a Yb.]
    Acta polytechnica. Roč. 46, č. 6 (2006), s. 49-55. ISSN 1210-2709
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/06/0424
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10480505
    Klíčová slova: fluorescence * gallium * rare earth compounds
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    Erbium and erbium/ytterbium doped gallium nitride (GaN) layers prepared by magnetron sputtering on silicon, quartz and Corning glass substrates are reported. Samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence and nuclear analytical methods. Radiative emission due to Er3+ inner shell transitions at 1530 nm was observed on all samples.

    GaN vrstvy dotované Er a Er/Yb byly připraveny magnetronovým naprašováním na substrátech křemíku, quarcového a Corning skla. Vzorky byly charakterizovány pomocí Roentgenové difrakční spektroskopie, nízkoteplotní fotoluminiscence a pomocí nukleárních analytických metod. Zářivé elektronové 4f-4f přechody Er3+ iontů na 1530 nm byly pozorovány na všech připravených vzorcích.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0157265