Počet záznamů: 1  

Computer simulations of X-ray six-beam diffraction in a perfect silicon crystal. I

  1. 1.
    SYSNO ASEP0488135
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevComputer simulations of X-ray six-beam diffraction in a perfect silicon crystal. I
    Tvůrce(i) Kohn, V.G. (RU)
    Khikhlukha, Danila (FZU-D)
    Celkový počet autorů2
    Zdroj.dok.Acta Crystallographica Section A-Foundation and Advances. - : Oxford Blackwell - ISSN 2053-2733
    Roč. 72, May (2016), s. 349-356
    Poč.str.8 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovaX-ray diffraction ; silicon crystal ; six-beam diffraction ; section topography ; computer simulations
    Vědní obor RIVBL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
    Obor OECDFluids and plasma physics (including surface physics)
    CEPEF15_008/0000162 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    ED1.1.00/02.0061 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000375147400009
    EID SCOPUS84965057155
    DOI10.1107/S2053273316001959
    AnotaceThis paper reports computer simulations of the transmitted-beam intensity distribution for the case of six-beam (000, 220, 242, 044,224,202) diffraction of X-rays in a perfect silicon crystal of thickness 1 mm. Both the plane-wave angular dependence and the six-beam section topographs, which are usually obtained in experiments with a restricted beam (two-dimensional slit), are calculated. The angular dependence is calculated in accordance with Ewald's theory. The section topographs are calculated from the angular dependence by means of the fast Fourier transformation procedure. This approach allows one to consider, for the first time, the transformation of the topograph's structure due to the two-dimensional slit sizes and the distance between the slit and the detector. The results are in good agreement with the results of other works and with the experimental data.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2018
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.