Počet záznamů: 1

Growth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd.sub.3./sub.Ga.sub.3./sub.Al.sub.2./sub.O.sub.12./sub. scintillation single crystal

SYSNO ASEP	0470883
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Growth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd₃Ga₃Al₂O₁₂ scintillation single crystal
Tvůrce(i)	Kamada, K. (JP) Shoji, Y. (JP) Kochurikhin, V.V. (JP) Okumura, S. (JP) Yamamoto, S. (JP) Nagura, A. (JP) Yeom, J.Y. (KR) Kurosawa, S. (JP) Yokota, Y. (JP) Ohashi, Y. (JP) Nikl, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Yoshikawa, A. (JP)
Celkový počet autorů	12
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248 Roč. 452, Oct (2016), s. 81-84
Poč.str.	4 s.
Akce	American Conference on Crystal Growth and Epitaxy /20./ (ACCGE) / 17th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE) / 2nd 2D Electronic Materials Symposium
Datum konání	02.08.2015 - 07.08.2015
Místo konání	Big Sky, MT
Země	US - Spojené státy americké
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	single crystal growth ; oxides ; scintillator materials ; scintillators
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	LH14266 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	GJ15-18300Y GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000386414100017
EID SCOPUS	84991711398
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2016.04.037
Anotace	The 3 in. size Ce1%:Gd3Al2Ga3O12 single crystals were prepared by the Czochralski (Cz) method. Optical constants were measured. Chemical composition analysis and uniformity of scintillation decay and light yield along growth direction were evaluated. The timing resolution measurement for a pair of 3 mm x 3 mm x 3 mm size Ce:GAGG scintillator crystals was performed using Si-PMs.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2017

Počet záznamů: 1