Počet záznamů: 1
Growth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd.sub.3./sub.Ga.sub.3./sub.Al.sub.2./sub.O.sub.12./sub. scintillation single crystal
- 1.
SYSNO ASEP 0470883 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Growth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd3Ga3Al2O12 scintillation single crystal Tvůrce(i) Kamada, K. (JP)
Shoji, Y. (JP)
Kochurikhin, V.V. (JP)
Okumura, S. (JP)
Yamamoto, S. (JP)
Nagura, A. (JP)
Yeom, J.Y. (KR)
Kurosawa, S. (JP)
Yokota, Y. (JP)
Ohashi, Y. (JP)
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Yoshikawa, A. (JP)Celkový počet autorů 12 Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 452, Oct (2016), s. 81-84Poč.str. 4 s. Akce American Conference on Crystal Growth and Epitaxy /20./ (ACCGE) / 17th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE) / 2nd 2D Electronic Materials Symposium Datum konání 02.08.2015 - 07.08.2015 Místo konání Big Sky, MT Země US - Spojené státy americké Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova single crystal growth ; oxides ; scintillator materials ; scintillators Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LH14266 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GJ15-18300Y GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000386414100017 EID SCOPUS 84991711398 DOI https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.04.037 Anotace The 3 in. size Ce1%:Gd3Al2Ga3O12 single crystals were prepared by the Czochralski (Cz) method. Optical constants were measured. Chemical composition analysis and uniformity of scintillation decay and light yield along growth direction were evaluated. The timing resolution measurement for a pair of 3 mm x 3 mm x 3 mm size Ce:GAGG scintillator crystals was performed using Si-PMs. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1