Počet záznamů: 1
Characterization of thin MnSi and MnGe Layers Prepared by Reactive UV Pulsed Laser Deposition.
- 1.
SYSNO ASEP 0465309 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Characterization of thin MnSi and MnGe Layers Prepared by Reactive UV Pulsed Laser Deposition. Tvůrce(i) Koštejn, Martin (UCHP-M) RID, SAI, ORCID
Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Dytrych, Pavel (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Kupčík, Jaroslav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Dřínek, Vladislav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Jandová, Věra (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Huber, Š. (CZ)
Novotný, F. (CZ)Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 619, NOV 30 (2016), s. 73-80Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova diluted ferromagnetic semiconductor ; reactive pulsed laser deposition ; silicide Vědní obor RIV CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie CEP GC15-08842J GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora UCHP-M - RVO:67985858 UT WOS 000389610900011 EID SCOPUS 84993326648 DOI 10.1016/j.tsf.2016.10.035 Anotace Reactive pulsed laser deposition is a technique suitable for producing homogenous thin layers of silicon or germanium with high concentration of embedded manganese atoms. Linear calibration of EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) was utilized for an elemental analysis of thin layers. MnSi and MnGe (manganese-silicon and manganese-germanium) layers containing non-oxidized Mn were obtained for Mn molar concentration in the range from 15 to 50%. Electron diffraction showed an amorphous character of MnSi layers. MnGe layers contained two different types of nanoparticles incorporated inside an amorphous matrix. The layers were semiconducting with resistivities from 10−3 to 10−5 Ωm. Pracoviště Ústav chemických procesů Kontakt Eva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1