Počet záznamů: 1
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur
- 1.
SYSNO ASEP 0448576 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur Tvůrce(i) Bagraev, N.T. (RU)
Danilovskii, E.Yu. (RU)
Gets, D.S. (RU)
Kalabukhova, E.N. (UA)
Klyachkin, L.E. (RU)
Koudryavtsev, A.A. (RU)
Malyarenko, A.M. (RU)
Mashkov, V.A. (RU)
Savchenko, Dariia (FZU-D) RID, ORCID
Shanina, B.D. (UA)Zdroj.dok. Semiconductors - ISSN 1063-7826
Roč. 49, č. 5 (2015), 649-657Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. RU - Rusko Klíč. slova electron spin resonance ; 6H-SiC nanostructures ; silicon vacancy related centers ; NV centers Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GP13-06697P GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000354103400018 EID SCOPUS 84928898748 DOI 10.1134/S1063782615050036 Anotace We present the first findings of the silicon vacancy related centers identified in the non-irradiated 6H-SiC nanostructure using the electron spin resonance (ESR) and electrically-detected (ED) ESR technique. This planar 6H-SiC nanostructure represents the ultra-narrow p-type quantum well confined by the δ-barriers heavily doped with boron on the surface of the n-type 6H-SiC(0001) wafer. The new EDESR technique by measuring the only magnetoresistance of the 6H-SiC nanostructure under the high frequency gen- eration from the δ-barriers appears to allow the identification of the isolated silicon vacancy centers as well as the triplet center with spin state S = 1. The same triplet center that is characterized by the large value of the zero-field splitting constant D and anisotropic g-factor is revealed by the ESR (X-band) method. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1