Počet záznamů: 1
On the effects of hydrogenation of thin film polycrystalline silicon: A key factor to improve heterojunction solar cells
- 1.
SYSNO ASEP 0427003 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název On the effects of hydrogenation of thin film polycrystalline silicon: A key factor to improve heterojunction solar cells Tvůrce(i) Qiu, Y. (CN)
Kunz, O. (AU)
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Teik Chan, B. (BE)
Gordon, I. (BE)
Van Gestel, D. (BE)
Venkatachalm, S. (BE)
Egan, R. (AU)Zdroj.dok. Solar Energy Materials and Solar Cells. - : Elsevier - ISSN 0927-0248
Roč. 122, MAR (2014), s. 31-39Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova silicon ; thin films ; polycrystalline ; hydrogenation ; Raman spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP 7E10061 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000331494200005 EID SCOPUS 84889048148 DOI https://doi.org/10.1016/j.solmat.2013.11.017 Anotace The hydrogen plasma passivation of thin film polycrystalline silicon (pc-Si) was investigated in conjunction with plasma texturing proces to make efficient heterojunction solar cells. Combining plasma pre-texturing with high-temperature hydrogenation, the best 2 µm-thick pc-Si heterojunction solar cell reaches an efficiency of 8.54%. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015 Elektronická adresa http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927024813006016
Počet záznamů: 1