Počet záznamů: 1
Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP
- 1.
SYSNO ASEP 0323030 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP Překlad názvu Studium Šottkyho diod na InP dopovaném Mn Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Kozak, Halina (URE-Y)
Sopko, B. (CZ)
Pekárek, Ladislav (FZU-D)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Journal of Materials Science-Materials in Electronics. - : Springer - ISSN 0957-4522
Roč. 19, č. 1 (2008), S333-S337Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova Schottky effect ; semiconductors ; deep levels Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN400670651 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000260288100068 DOI 10.1007/s10854-007-9508-x Anotace Schottky diodes were studied by temperature dependent current–voltage, capacitance–voltage (C-V) and admitance spectra measurements. Current–voltage characteristics were fitted by considering thermionic emission, serial resistance of bulk InP and nonlinear serial resistance of the back contact of the diode. Schottky barrier height calculated from current–voltage characteristics was lower than the one calculated from C-V characteristics, which was prescribed to a strong density of surface states. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1