Počet záznamů: 1  

Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP

  1. 1.
    0323030 - FZU-D 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel - Kozak, Halina - Sopko, B. - Pekárek, Ladislav
    Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP.
    [Studium Šottkyho diod na InP dopovaném Mn.]
    Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Roč. 19, č. 1 (2008), S333-S337. ISSN 0957-4522
    Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
    Klíčová slova: Schottky effect * semiconductors * deep levels
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.054, rok: 2008

    Schottky diodes were studied by temperature dependent current–voltage, capacitance–voltage (C-V) and admitance spectra measurements. Current–voltage characteristics were fitted by considering thermionic emission, serial resistance of bulk InP and nonlinear serial resistance of the back contact of the diode. Schottky barrier height calculated from current–voltage characteristics was lower than the one calculated from C-V characteristics, which was prescribed to a strong density of surface states.

    Schottkyho diody byly zkoumány měřením teplotně závislých charakteristik proud-napětí a kapacita-napětí a admitanční spektroskopií. Charakteristiky proud-napětí byly vypočteny s uvážením termiontové emise, seriového odporu objemu InP a nelineárního serivého odporu zadního kontaktu diody. Výška Schottkyho bariery vypočtená z charakteristik proud–napětí byla nižší než výška vypočtená z charakteristik kapacita-napětí, což bylo přičteno velké hustotě povrchových stavů.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0171112