Počet záznamů: 1
Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
- 1.
SYSNO ASEP 0098329 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering Překlad názvu Vlastnosti GaN vrstev připravených magnetronovým naprašováním a dotovaných ionty Er a Yb Tvůrce(i) Prajzler, V. (CZ)
Burian, Z. (CZ)
Hüttel, I. (CS)
Špirková, J. (CZ)
Hamáček, J. (CZ)
Oswald, J. (CZ)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Peřina, Vratislav (UJF-V) RIDZdroj.dok. Acta Polytechnica. - : České vysoké učení technické - ISSN 1210-2709
Roč. 46, č. 6 (2006), s. 49-55Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova fluorescence ; gallium ; rare earth compounds Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA102/06/0424 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) Anotace Erbium and erbium/ytterbium doped gallium nitride (GaN) layers prepared by magnetron sputtering on silicon, quartz and Corning glass substrates are reported. Samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence and nuclear analytical methods. Radiative emission due to Er3+ inner shell transitions at 1530 nm was observed on all samples. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2008
Počet záznamů: 1