Počet záznamů: 1
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
- 1.Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi - Caha, O. - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime.
Journal of Crystal Growth. Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Impakt faktor: 1.726, rok: 2011
http://hdl.handle.net/11104/0197302
Počet záznamů: 1