Počet záznamů: 1
Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
SYS 0496160 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103220847.6 017 $2 DOI 100 $a 20181109d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a PL 200 1-
$a Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0496159 $1 200 1 $a Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7 $v S. 125-125 $1 210 $c University of Warsaw $d 2018 610 $a InGaN/GaN 610 $a quantum wells 610 $a doping 610 $a luminescence 700 -1
$3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1