Počet záznamů: 1
Long range influence of macroscopic defects on photoluminescence of GaN/InGaN multiple quantum well structures
SYS 0479300 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103214646.9 017 $2 DOI 100 $a 20171011d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a FR 200 1-
$a Long range influence of macroscopic defects on photoluminescence of GaN/InGaN multiple quantum well structures 215 $a 1 s. 300 $a Do RIV jako O 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0479298 $1 200 1 $a EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy $v S. 40-40 $1 210 $a Grenoble $d 2017 $1 702 1 $a Eymery $b J. $4 340 610 $a MOVPE 610 $a GaN 610 $a photoluminescece 610 $a Raman spectroscopy 610 $a macroscopic defects 700 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0351267 $a Kretková $b Tereza $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0351268 $a Novotný $b Radek $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1