Počet záznamů: 1
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
- 1.Hospodková, A., Pangrác, J., Vyskočil, J., Oswald, J., Vetushka, A., Caha, O., Hazdra, P., Kuldová, K., Hulicius, E. InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime. Journal of Crystal Growth. 2011, 317(1), 39-42. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
Počet záznamů: 1