Počet záznamů: 1
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
- 1.HOSPODKOVÁ, A., PANGRÁC, J., VYSKOČIL, J., OSWALD, J., VETUSHKA, A., CAHA, O., HAZDRA, P., KULDOVÁ, K., HULICIUS, E. InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime. Journal of Crystal Growth. 2011, 317(1), 39-42. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
Počet záznamů: 1