Počet záznamů: 1
Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
- 1.HÁJEK, František, ZÍKOVÁ, Markéta, HOSPODKOVÁ, Alice, HUBÁČEK, Tomáš, OSWALD, Jiří. Impact of Si doping in different GaN layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure. In: Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018, s. 125-125.
Počet záznamů: 1