Počet záznamů: 1
Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures
- 1.
SYSNO 0304152 Název Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Pekárek, Ladislav (FZU-D)
Hlídek, P. (CZ)Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Roč. 18, č. 11 (2003), s. 938-944. - : Institute of Physics Publishing Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IBS2067354 GA AV ČR - Akademie věd KSK1010104 Projekt 04/01:4044 GA AV ČR - Akademie věd CEZ MSM 113200002 Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova deep levels * light absorption * Hall effect Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0114293
Počet záznamů: 1