Počet záznamů: 1
Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures
SYS 0304152 LBL 02536nam^^2200361^^^450 005 20240103180957.1 101 0-
$a eng 102 $a GB 200 1-
$a Pure and intentionally doped indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures 215 $a 7 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257590 $1 011 $a 0268-1242 $e 1361-6641 $1 200 1 $a Semiconductor Science and Technology $v Roč. 18, č. 11 (2003), s. 938-944 $1 210 $c Institute of Physics Publishing 610 1-
$a deep levels 610 1-
$a light absorption 610 1-
$a Hall effect 700 -1
$3 cav_un_auth*0101770 $a Žďánský $b Karel $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100443 $a Pekárek $b Ladislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0017382 $a Hlídek $b P. $y CZ $4 070
Počet záznamů: 1