Coupled Electromagnetic-Thermal Analysis of Selected Power Semiconductor Devices
1.
SYSNO ASEP
0195546
Druh ASEP
C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV
D - Článek ve sborníku
Název
Coupled Electromagnetic-Thermal Analysis of Selected Power Semiconductor Devices
Tvůrce(i)
Doležel, Ivo (UE-C) Barglik, J. (PL) Ulrych, B. (CZ) Valouch, Viktor (UE-C)
Zdroj.dok.
Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits. - Poznaň : PTETiS Publishers, 2002
- ISBN 83-906074-5-X
Rozsah stran
s. 211-214
Poč.str.
4 s.
Akce
Symposium Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits /17./
Datum konání
01.07.2002-03.07.2002
Místo konání
Leuven
Země
BE - Belgie
Typ akce
WRD
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
PL - Polsko
Klíč. slova
Coupled electromagnetic-thermal analysis ; power semiconductor devices
Vědní obor RIV
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP
GA102/01/0182 GA ČR - Grantová agentura ČR
Anotace
The paper deals with the coupled electromagnetic-thermal analysis of selected power semiconductor devices in various operation regimes. The mathematical model of the problem consists of two second-order partial differential equations with temperature-dependent coefficients describeng the distribution of the non-stationary current and temperature fields within the device.
Pracoviště
Ústav pro elektrotechniku (do r. 2005)
Kontakt
UE-C
Rok sběru
2003
Počet záznamů: 1
openseadragon
Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom
jak používáme cookies.