Počet záznamů: 1  

Boltzmann theory of engineered anisotropic magnetoresistance in (Ga, Mn)As

  1. SYS0134661
    LBL
      
    00000nam^^22^^^^^^^^450
    005
      
    20230418210441.4
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a US
    200
    1-
    $a Boltzmann theory of engineered anisotropic magnetoresistance in (Ga, Mn)As
    215
      
    $a 3 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0256166 $1 011 $a 0003-6951 $e 1077-3118 $1 200 1 $a Applied Physics Letters $v Roč. 81, č. 21 (2002), s. 4029-4031 $1 210 $c AIP Publishing
    610
    1-
    $a ferromagnetic semiconductors
    610
    1-
    $a anisotropic magnetoresistence
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0100269 $a Jungwirth $b Tomáš $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0037168 $a Abolfath $b M. $y US $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0014380 $a Sinova $b J. $y US $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100336 $a Kučera $b Jan $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0016115 $a MacDonald $b A. H. $y US $4 070

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.