Počet záznamů: 1  

Boltzmann theory of engineered anisotropic magnetoresistance in (Ga, Mn)As

  1. 1.
    0134661 - FZU-D 20030562 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Jungwirth, Tomáš - Abolfath, M. - Sinova, J. - Kučera, Jan - MacDonald, A. H.
    Boltzmann theory of engineered anisotropic magnetoresistance in (Ga, Mn)As.
    Applied Physics Letters. Roč. 81, č. 21 (2002), s. 4029-4031. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant CEP: GA ČR GA202/02/0912; GA MŠMT OC P5.10
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * anisotropic magnetoresistence
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 4.207, rok: 2002

    We report on a theoretical study of dc transport coefficients in (Ga,MN)As diluted magnetic semiconductor ferromagnets.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032555

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.