Počet záznamů: 1
Boltzmann theory of engineered anisotropic magnetoresistance in (Ga, Mn)As
- 1.0134661 - FZU-D 20030562 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Jungwirth, Tomáš - Abolfath, M. - Sinova, J. - Kučera, Jan - MacDonald, A. H.
Boltzmann theory of engineered anisotropic magnetoresistance in (Ga, Mn)As.
Applied Physics Letters. Roč. 81, č. 21 (2002), s. 4029-4031. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/02/0912; GA MŠMT OC P5.10
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * anisotropic magnetoresistence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 4.207, rok: 2002
We report on a theoretical study of dc transport coefficients in (Ga,MN)As diluted magnetic semiconductor ferromagnets.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032555
Počet záznamů: 1