Počet záznamů: 1
Diagnostics of Si multi-delta-doped GaAs layers by Raman spectroscopy on bevelled structures
- 1.
SYSNO 0133764 Název Diagnostics of Si multi-delta-doped GaAs layers by Raman spectroscopy on bevelled structures Tvůrce(i) Srnanek, R. (SK)
Gurnik, P. (SK)
Harmatha, L. (SK)
Gregora, Ivan (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Applied Surface Science. Roč. 183, - (2002), s. 86-92. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant 1/7600/20, SK - Slovenská republika 1/6098/99, SK - Slovenská republika 1/7613/20, SK - Slovenská republika CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova delta-doped layers * micro-Raman * GaAs * Si-doping Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0000631
Počet záznamů: 1