Počet záznamů: 1  

Diagnostics of Si multi-delta-doped GaAs layers by Raman spectroscopy on bevelled structures

  1. 1.
    0133764 - FZU-D 20020145 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Srnanek, R. - Gurnik, P. - Harmatha, L. - Gregora, Ivan
    Diagnostics of Si multi-delta-doped GaAs layers by Raman spectroscopy on bevelled structures.
    Applied Surface Science. Roč. 183, - (2002), s. 86-92. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
    Grant ostatní: VEGA(SK) 1/7600/20; VEGA(SK) 1/6098/99; VEGA(SK) 1/7613/20
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: delta-doped layers * micro-Raman * GaAs * Si-doping
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.295, rok: 2002

    A new procedure for determination of the doping spikes location and the spatial extent of dopants in Si single and multi-ë-doped layers by micro-Raman spectroscopy is presented. The obtained values of Si extent from 4.0 to 4.5 nm are in good coincidence with values presented in the literature.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000631

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.