Diagnostics of Si multi-delta-doped GaAs layers by Raman spectroscopy on bevelled structures

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0133764
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Diagnostics of Si multi-delta-doped GaAs layers by Raman spectroscopy on bevelled structures
Tvůrce(i)	Srnanek, R. (SK) Gurnik, P. (SK) Harmatha, L. (SK) Gregora, Ivan (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Applied Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0169-4332 Roč. 183, - (2002), s. 86-92
Poč.str.	7 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	delta-doped layers ; micro-Raman ; GaAs ; Si-doping
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Anotace	A new procedure for determination of the doping spikes location and the spatial extent of dopants in Si single and multi-ë-doped layers by micro-Raman spectroscopy is presented. The obtained values of Si extent from 4.0 to 4.5 nm are in good coincidence with values presented in the literature.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2003

Počet záznamů: 1