Počet záznamů: 1
Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures
- 1.
SYSNO 0133756 Název Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures Tvůrce(i) Vorlíček, Vladimír (FZU-D) RID
Moiseev, K. D. (RU)
Mikhailova, M. P. (RU)
Yakovlev, Yu. P. (RU)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Crystal Research and Technology. Roč. 37, 2-3 (2002), s. 259-267 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA102/99/0414 GA ČR - Grantová agentura ČR 990218330, RU - Rusko CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova III-V alloy compound semiconductors * phonons * Raman spectra liquid phase epitaxy * midinifrared optoelectronics Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0031715
Počet záznamů: 1