Počet záznamů: 1
Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures
- 1.
SYSNO ASEP 0133756 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures Tvůrce(i) Vorlíček, Vladimír (FZU-D) RID
Moiseev, K. D. (RU)
Mikhailova, M. P. (RU)
Yakovlev, Yu. P. (RU)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Crystal Research and Technology - ISSN 0232-1300
Roč. 37, 2-3 (2002), s. 259-267Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova III-V alloy compound semiconductors ; phonons ; Raman spectra liquid phase epitaxy ; midinifrared optoelectronics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA102/99/0414 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Ga1-xInxAsySb1-y quaternary solid solutions lattice-matched to the InAs (001) substrate with composition in range 0.06óxó0.22 were grown by liquid phase epitaxy. The assignment of the observed modes to GaAs-like and (GaSb+InAS)-like mixture modes is discussed. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2003
Počet záznamů: 1