Počet záznamů: 1
Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures
SYS 0133756 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20210803155055.9 101 0-
$a eng 102 $a DE 200 1-
$a Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures 215 $a 9 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256472 $1 011 $a 0232-1300 $e 1521-4079 $1 200 1 $a Crystal Research and Technology $v Roč. 37, 2-3 (2002), s. 259-267 610 1-
$a III-V alloy compound semiconductors 610 1-
$a phonons 610 1-
$a Raman spectra liquid phase epitaxy 610 1-
$a midinifrared optoelectronics 700 -1
$3 cav_un_auth*0100614 $a Vorlíček $b Vladimír $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0040000 $a Moiseev $b K. D. $y RU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0040001 $a Mikhailova $b M. P. $y RU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0035979 $a Yakovlev $b Yu. P. $y RU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1