Počet záznamů: 1
Properties of doped GaSb single crystals grown by the Czochralski method
- 1.
SYSNO ASEP 0131163 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Properties of doped GaSb single crystals grown by the Czochralski method Tvůrce(i) Šestáková, Věra (FZU-D)
Štěpánek, Bedřich (FZU-D)
Šesták, Jaroslav (FZU-D) RIDZdroj.dok. Crystal Research and Technology - ISSN 0232-1300
Roč. 31, č. 7 (1996), s. 929-934Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 1997
Počet záznamů: 1