0131163 - FZU-D 960522 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Šestáková, Věra - Štěpánek, Bedřich - Šesták, Jaroslav
Properties of doped GaSb single crystals grown by the Czochralski method.
Crystal Research and Technology. Roč. 31, č. 7 (1996), s. 929-934. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079
Impakt faktor: 0.404, rok: 1996
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029248