Počet záznamů: 1
Properties of doped GaSb single crystals grown by the Czochralski method
- 1.Šestáková, V., Štěpánek, B., Šesták, J. Properties of doped GaSb single crystals grown by the Czochralski method. Crystal Research and Technology. 1996, 31(7), 929-934. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079.
Počet záznamů: 1