Počet záznamů: 1  

Properties of doped GaSb single crystals grown by the Czochralski method

  1. 1.
    Šestáková, V., Štěpánek, B., Šesták, J. Properties of doped GaSb single crystals grown by the Czochralski method. Crystal Research and Technology. 1996, 31(7), 929-934. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079.

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.