- Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV…
Počet záznamů: 1  

Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method

  1. 1.
    SYSNO0105980
    NázevDetermination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
    Překlad názvuUrčení profilu nosičů na zešikmené GaAs struktuře pomocí PCIV metody
    Tvůrce(i) Kinder, R. (SK)
    Srnánek, R. (SK)
    Hulényi, L. (SK)
    Walachová, Jarmila (URE-Y)
    Tlaczala, M. (PL)
    Sciana, B. (PL)
    Radziewicz, D. (PL)
    Zdroj.dok. Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. Roč. 55, 9-10 (2004), s. 261-264. - : Slovenská technická univerzita v Bratislave
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd, CZ - Česká republika
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.SK
    Klíč.slova impurity distribution
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0013165
Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.