0105980 - URE-Y 20040172 RIV SK eng J - Článek v odborném periodiku
Kinder, R. - Srnánek, R. - Hulényi, L. - Walachová, Jarmila - Tlaczala, M. - Sciana, B. - Radziewicz, D.
Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method.
[Určení profilu nosičů na zešikmené GaAs struktuře pomocí PCIV metody.]
Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. Roč. 55, 9-10 (2004), s. 261-264. ISSN 1335-3632. E-ISSN 1339-309X
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: impurity distribution
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Determination of free charge profiles of GaAs on a bevelled surface by PCIV is presented. The bevelled structure were prepared by chemical etching. The results are compared with the electrochemical capacitance-voltage technique.

Je prezentováno určení profilu volných nosičů v GaAs na zešikmeném povrchu.Zešikmení bylo připraveno chemickým leptáním.Výsledky jsou srovnány s elektrochemickou kapacitně -napěťovou metodou.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013165