- Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV…
Počet záznamů: 1  

Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method

  1. SYS0105980
    LBL
      
    01616^^^^^2200301^^^450
    005
      
    20240103173120.8
    100
      
    $a 20050419d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a SK
    200
    1-
    $a Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
    215
      
    $a 4 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0294895 $1 011 $a 1335-3632 $e 1339-309X $1 200 1 $a Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis $v Roč. 55, 9-10 (2004), s. 261-264 $1 210 $c Slovenská technická univerzita v Bratislave
    541
    1-
    $a Určení profilu nosičů na zešikmené GaAs struktuře pomocí PCIV metody $z cze
    610
    0-
    $a impurity distribution
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0015508 $a Kinder $b R. $y SK $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0020980 $a Srnánek $b R. $y SK $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0020981 $a Hulényi $b L. $y SK $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101765 $a Walachová $b Jarmila $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0020982 $a Tlaczala $b M. $y PL $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0020983 $a Sciana $b B. $y PL $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0020984 $a Radziewicz $b D. $y PL $4 070
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.