Počet záznamů: 1
Structural modification of InAs based materials for mid-infrared optoelectronic devices
- 1.
SYSNO 0105964 Název Structural modification of InAs based materials for mid-infrared optoelectronic devices Překlad názvu Tvarování struktur na bázi InAs pro optoelektronické součástky ve střední infračervené oblasti spekra Tvůrce(i) Nohavica, Dušan (URE-Y)
Krier, A. (GB)Zdroj.dok. ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. s. 203-206. - Piscataway : IEEE, 2004 / Osvald J. ; Haščík Š. Konference Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./, Smolenice, 17.10.2004-21.10.2004 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant ME 610 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0013149
Počet záznamů: 1