0105964 - URE-Y 20040124 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Krier, A.
Structural modification of InAs based materials for mid-infrared optoelectronic devices.
[Tvarování struktur na bázi InAs pro optoelektronické součástky ve střední infračervené oblasti spekra.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 203-206. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA MŠMT ME 610
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Anisotropic and isotropic etchants are very useful in preparation of InAs based devices. Polycarbozylic acids are very interesting as structural and selective etchants and Br₂-based systems have been found to give good results for chemical polishing and etching of A³B⁵ semiconductors. We investigated both systems with a view towards applications in InAs based optoelectronic devices.

Anizotropní i izotropní leptací směsi jsou velmi důležité pro přípravu součástek na bázi InAs. Polycarboxylické kyseliny mají velmi zajímavé vlastnosti jako složky strukturních a selektivních leptadel a leptadla s bromem dávají velmi dobré výsledky při chemickém leštění a izotropním leptání polovodičů A³B⁵. V práci jsou shrnuty výsledky studia obou systémů zaměřeného na použití v přípravě optoelektronických součástek z InAs.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013149