Structural modification of InAs based materials for mid-infrared optoelectronic devices
1.
SYSNO ASEP
0105964
Druh ASEP
C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV
D - Článek ve sborníku
Název
Structural modification of InAs based materials for mid-infrared optoelectronic devices
Překlad názvu
Tvarování struktur na bázi InAs pro optoelektronické součástky ve střední infračervené oblasti spekra
Tvůrce(i)
Nohavica, Dušan (URE-Y) Krier, A. (GB)
Zdroj.dok.
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Piscataway : IEEE, 2004 / Osvald J. ; Haščík Š.
- ISBN 0-7803-8535-7
Rozsah stran
s. 203-206
Poč.str.
4 s.
Akce
Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP
ME 610 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
CEZ
AV0Z2067918 - URE-Y
Anotace
Anisotropic and isotropic etchants are very useful in preparation of InAs based devices. Polycarbozylic acids are very interesting as structural and selective etchants and Br2-based systems have been found to give good results for chemical polishing and etching of A3B5 semiconductors. We investigated both systems with a view towards applications in InAs based optoelectronic devices.
