Počet záznamů: 1
Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
SYS 0105961 LBL 04003^^^^^2200409^^^450 005 20240103173119.0 100 $a 20050419d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection 215 $a 4 s. 463 -1
$1 010 $a 0-7803-8535-7 $1 200 1 $a ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems $v s. 247-250 $1 210 $a Piscataway $c IEEE $d 2004 $1 702 1 $a Osvald $b J. $4 340 $1 702 1 $a Haščík $b Š. $4 340 541 1-
$a Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření $z cze 610 0-
$a semiconductors 610 0-
$a photoluminescence 610 0-
$a galvanomagnetic effects 700 -1
$3 cav_un_auth*0101767 $a Zavadil $b Jiří $p URE-Y $w Synthesis and characterization of nanomaterials $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101770 $a Žďánský $b Karel $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101728 $a Procházková $b Olga $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0108149 $a Kozak $b Halina $4 070 $p URE-Y $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1