Počet záznamů: 1  

Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection

  1. 1.
    0105961 - URE-Y 20040121 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Kozak, Halina
    Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection.
    [Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření.]
    ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 247-250. ISBN 0-7803-8535-7.
    [Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379; GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
    Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

    InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt.

    Monokrystalické epitaxní vrstvy InP připravené na semiizolačních (InP:Fe) substrátech a substrátech s n-typem vodivosti (InP:Sn) byly pěstovány s přidáním ceria, tulia a europia do růstové taveniny. Vrstvy byly vyšetřovány pomocí nízkoteplotní fotoluminescenční spektroskopie a měřením C-V závislostí a teplotních závislostí Hallova jevu. Všechny vrstvy vykazují změnu typu elektrické vodivosti z n na p při určité koncentraci vzácných zemin v tavenině.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013146

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.