Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures
1.
SYSNO ASEP
0105875
Druh ASEP
J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV
J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J
Ostatní články
Název
Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures
Překlad názvu
Studium destiček fosfidu inditého upravených dlouhodobým žíháním při vysokých teplotách
Tvůrce(i)
Žďánský, Karel (URE-Y) Pekárek, Ladislav (FZU-D) Hlídek, P. (CZ)
Zdroj.dok.
European Physical Journal-Applied Physics. - : EDP Sciences
- ISSN 1286-0042
Roč. 27, 1/3 (2004), s. 197-200
Poč.str.
4 s.
Akce
DRIP /10./
Datum konání
29.09.2003-02.10.2003
Místo konání
Batz-sur-Mer
Země
FR - Francie
Typ akce
WRD
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
FR - Francie
Klíč. slova
Hall effect ; deep levels ; light absorption
Vědní obor RIV
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
CEP
IBS2067354 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ
AV0Z2067918 - URE-Y
Anotace
High purity InP crystals were grown by liquid encapsulated Czochralski method from undoped InP melt. Wafers from the grown crystals were annealed in phosphorus ambient for 95 hours at 950oC and cooled slowly. Conversion to semi-insulating state by annealing was studied by temperature dependent Hall measurements and low temperature optical absorption spectroscopy.
