Počet záznamů: 1  

Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures

  1. 1.
    0105875 - URE-Y 20040040 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
    Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.
    [Studium destiček fosfidu inditého upravených dlouhodobým žíháním při vysokých teplotách.]
    European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 27, 1/3 (2004), s. 197-200. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050.
    [DRIP /10./. Batz-sur-Mer, 29.09.2003-02.10.2003]
    Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
    Klíčová slova: Hall effect * deep levels * light absorption
    Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
    Impakt faktor: 0.745, rok: 2004

    High purity InP crystals were grown by liquid encapsulated Czochralski method from undoped InP melt. Wafers from the grown crystals were annealed in phosphorus ambient for 95 hours at 950oC and cooled slowly. Conversion to semi-insulating state by annealing was studied by temperature dependent Hall measurements and low temperature optical absorption spectroscopy.

    InP krystaly vysoké čistoty byly vypěstovány metodou Czochralského s kapalným uzávěrem z nedopované taveniny InP. Destičky z vypěstovaných krystalů byly žíhány při 950o C po 95 hodin ve fosforové atmosféře a pomaly zchlazeny. Na to byla studována konverse do semiizolačního stavu teplotně závislým Hallovým měřením a nízkoteplotní optickou absorpční spektroskopií.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013063

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.