- Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at hi…
Počet záznamů: 1  

Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures

  1. 1.
    Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
    Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.
    European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 27, 1/3 (2004), s. 197-200. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050.
    [DRIP /10./. Batz-sur-Mer, 29.09.2003-02.10.2003]
    Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354
    Impakt faktor: 0.745, rok: 2004
    http://hdl.handle.net/11104/0013063
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.