- Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at hi…
Počet záznamů: 1  

Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures

  1. 1.
    Žďánský, K., Pekárek, L., Hlídek, P. Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures. European Physical Journal-Applied Physics. 2004, 27(1/3), 197-200. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.