Deep level transient spectroscopy of Al.sub.x./sub.Ga 1.sub.-x./sub. As/GaAs single-quantum-well lasers
1.
SYSNO ASEP
0105854
Druh ASEP
J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV
J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J
Ostatní články
Název
Deep level transient spectroscopy of AlxGa 1-x As/GaAs single-quantum-well lasers
Překlad názvu
Lasery Al xGa 1-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin
Tvůrce(i)
Žďánský, Karel (URE-Y) Gorodynskyy, Vladyslav (URE-Y) Kosíková, Jitka (FZU-D) Rudra, A. (CH) Kapon, E. (CH) Fekete, D. (IL)
Zdroj.dok.
Semiconductor Science and Technology. - : Institute of Physics Publishing
- ISSN 0268-1242
Roč. 19, č. 7 (2004), s. 897-901
Poč.str.
5 s.
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
GB - Velká Británie
Klíč. slova
semiconductor quantum wells ; nanostructured materials ; deep levels
Vědní obor RIV
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
CEP
IBS2067354 GA AV ČR - Akademie věd
KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd
Anotace
Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been made on AlGaAs/GaAs single quantum well (QW) laser diode structures. Si-related DX centres in the n-type AlGaAs layer adjacent to the QW have been observed by DLTS with reverse bias voltage and reduced bias pulse excitation. The DLTS peak of the DX centre is wiped out at zero bias and large injection pulse excitation and a new peak appears which is interpreted as being due to an electron trap inside the QW. Identification of the electron trap has been discussed.
