0105854 - URE-Y 20040027 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Gorodynskyy, Vladyslav - Kosíková, Jitka - Rudra, A. - Kapon, E. - Fekete, D.
Deep level transient spectroscopy of Al_xGa 1_-x As/GaAs single-quantum-well lasers.
[Lasery Al _xGa 1_-x /GaAs s jednou kvantovou jámou zkoumané transientní spektroskopií hlubokých hladin.]
Semiconductor Science and Technology. Roč. 19, č. 7 (2004), s. 897-901. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductor quantum wells * nanostructured materials * deep levels
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Impakt faktor: 2.152, rok: 2004

Deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been made on AlGaAs/GaAs single quantum well (QW) laser diode structures. Si-related DX centres in the n-type AlGaAs layer adjacent to the QW have been observed by DLTS with reverse bias voltage and reduced bias pulse excitation. The DLTS peak of the DX centre is wiped out at zero bias and large injection pulse excitation and a new peak appears which is interpreted as being due to an electron trap inside the QW. Identification of the electron trap has been discussed.

Laserové diodové struktury s jednou kvantovou jámou (QW) byly měřeny transientní spektroskopií (DLTS) a závislostmi kapacity na napětí (C-V). Pomocí DLTS s reversním přiloženým napětím a exitací redukčními pulsy byla pozorována DX centra od Si ve vrstvě AlGaAs typu n v souseddství QW. Vrchol DLTS od DX centra vymizí při nulovém předpětí a vysoké pulsní excitaci a objeví se nový vrchol, který je vyložen, jakožto způsobený elektronovou pastí uvnitř QW. Identifikace elektronové pasti je součástí diskuse.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013042