Počet záznamů: 1  

Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD

  1. 1.
    0105671 - UJF-V 20043245 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
    Vaněk, J. - Čech, V. - Přikryl, R. - Zemek, Josef - Peřina, Vratislav
    Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD.
    [Základní charakteristiky tenkých a-SiOC:H vrstev připravených pomocí PE CVD.]
    Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 54, č. 9 (2004), C937-942. ISSN 0011-4626.
    [Proceedings of the Symposium on Plasma and Technology /21./. Praha, 14.06.2004-17.06.2004]
    Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
    Klíčová slova: vinyltriethoxysilane * thin film * PECVD
    Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
    Impakt faktor: 0.292, rok: 2004
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000168
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.