Počet záznamů: 1
Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD
- 1.0105671 - UJF-V 20043245 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, J. - Čech, V. - Přikryl, R. - Zemek, Josef - Peřina, Vratislav
Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD.
[Základní charakteristiky tenkých a-SiOC:H vrstev připravených pomocí PE CVD.]
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 54, č. 9 (2004), C937-942. ISSN 0011-4626.
[Proceedings of the Symposium on Plasma and Technology /21./. Praha, 14.06.2004-17.06.2004]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
Klíčová slova: vinyltriethoxysilane * thin film * PECVD
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 0.292, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000168
Počet záznamů: 1