Počet záznamů: 1  

Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD

  1. 1.
    0105671 - UJF-V 20043245 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
    Vaněk, J. - Čech, V. - Přikryl, R. - Zemek, Josef - Peřina, Vratislav
    Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD.
    [Základní charakteristiky tenkých a-SiOC:H vrstev připravených pomocí PE CVD.]
    Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 54, č. 9 (2004), C937-942. ISSN 0011-4626.
    [Proceedings of the Symposium on Plasma and Technology /21./. Praha, 14.06.2004-17.06.2004]
    Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
    Klíčová slova: vinyltriethoxysilane * thin film * PECVD
    Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
    Impakt faktor: 0.292, rok: 2004

    Hydrogenated amorphous silicon oxycarbide (a-SiOC:H) thin films were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE CVD) using an RF helical coupling pulsed-plasma system. Films of the thickness ranging from 210 nm to 1.4 µm were deposited on silicon wafers from vinyltriethoxysilane (VTES) precursor. The thickness of plasma-polymerized films was measured by a Profilometer Talystep using a defined scratch in the layer as deep as the substrate. The deposition rate was observed with respect to the efective power used and the determined dependence could be explained on a basis of the competitive ablation and polymerization mechanisms. Very high deposition rates as far as about 110 nm/min could be reached if proper deposition conditions were tuned. The elemental composition of thin films were studied by conventional and resonant Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) and Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) methods. The Si, C and O bulk content was correlated with the surface one determined from analyses of the photoelectron spectra using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS).

    Tenké vrstvy hydrogenovaných amorfních křemičitých oxykarbidů byly připraveny pomocí plazmově aktivované depozice z plynné fáze (PE CVD) s použitím vf pulsního plasmatického helikálně vázaného systému. Vrstvy o tlouštkách mezi 210 nm a 1.4 µm byly nanášeny na křemíkové podložky z vinyltriethoxysilanu (VTES). Tlouštka plasmaticky polymerovaných vrstev byla měřena profilometrem (Talystepem) s definovaným vrypem až k substrátu. Měřená depoziční rychlost v závislosti na užitém efektivním výkonu může být vysvětlena na základě proti sobě jdoucích ablačních a polymerizačních mechanizmů. Nastavením vhodných depozičních podmínek lze dosáhnout depoziční rychlosti až 110 nm/min. Prvkové složení bylo měřeno metodou konvenčního a rezonančního zpětného Rutherfordovského odrazu (RBS) a zpětného elastického rozptylu (ERDA). Objemové obsahy Si, C a O byly srovnány s povrchovými měřenými Rentgenovskou fotoelektronovou spektroskopií (XPS).
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000168

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.